华为申请半导体器件相干专利，进步半导体器件散热效率,金刚石,外延,凹槽
金融界2024年12月5日(ri)消息，国家知识产权局信息显示(shi)，华为技(ji)能有限公(gong)司申请一项名为“一种半导体器件及其制作要领、集成电路(lu)、电子设备”的专利，公(gong)然号 CN 119069436 A，申请日(ri)期为 2023年5月。
专利择要显示(shi)，本申请供应一种半导体器件及其制作要领、集成电路(lu)、电子设备。半导体器件包括第一外延层、钝化层和金刚石散热层。其中，钝化层位于第一外延层和金刚石散热层之间。第一外延层背叛钝化层的一侧设置有栅(shan)极。钝化层朝向金刚石散热层的一侧表面(mian)设置有凹槽。沿半导体器件的厚度方向，凹槽正在第一外延层上的投影笼盖栅(shan)极的至少部分。金刚石散热层笼盖钝化层并(bing)且添补凹槽。正在本申请的半导体器件中，钝化层的凹槽布局不仅可以增加金刚石散热层与钝化层的打仗(zhang)面(mian)积，从而增加金刚石散热层与钝化层之间的连系力，并(bing)且还可以减小栅(shan)极与金刚石散热层之间沿半导体器件的厚度方向的热散布距(ju)离，进一步进步半导体器件的散热效率。
来源：金融界